Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (5)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Botsula O$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6
1.

Botsula O. V. 
InGaAs- based Graded Gap Active Elements with Static Cathode Domain for Terahertz Range [Електронний ресурс] / O. V. Botsula, К. H. Prykhodko, V. A. Zozulia // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 1. - С. 01006-101006-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_1_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 539.016 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Botsula O. V. 
Generation of Electromagnetic Oscillations of Submillimeter Range by GazIn1-zAs Diodes Using Impact Ionization [Електронний ресурс] / O. V. Botsula, K. H. Prykhodko // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02009-1-02009-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_11
Розвиток міліметрового і терагерцового діапазонів хвиль є одним з головних завдань сучасних високочастотних електронних приладів. Проте, немає активних елементів, які можуть працювати в цих діапазонах. Пристрої з переносом електронів (ППЕ) все ще залишаються більш поширеними компактними джерелами електромагнітних хвиль. Але ефективність коливань ППЕ, що працюють у субміліметровому діапазоні хвиль, невелика, і в більшості випадків генерація стає неможливою. Труднощі одержання максимальних частот в основному визначаються часом переходу електрона від верхньої долини до нижньої. Мета роботи - дослідження зменшення часу переходу електрона шляхом використання міжзонної ударної іонізації. Розглянуто перенесення заряду в діодах зі змінною шириною забороненої зони на основі In1-zGazAs з довжиною активної області 0,64 мкм. Концентрація домішки в активній області n-типу становила <$E10 sup 16 ~-~8~cdot~10 sup 16> см<^>-3. Метод Монте-Карло для моделювання поведінки ансамблю частинок застосовується для опису динаміки носіїв заряду в пристрої. При цьому враховуються триполосні зони провідності і смуги важких отворів <$EGAMMA sub roman IV>. Показано можливість використання локалізованої ударної іонізації як механізму енергетичної релаксації. Продемонстровано взаємозв'язок між кількістю актів ударної іонізації та зменшенням кількості електронів у верхніх долинах. Розраховано ефективність коливань діодів. Показано, що ударна іонізація може призвести до збільшення максимальної частоти генерації. Запропонований спосіб удосконалення частотних властивостей за рахунок модифікації транспорту електронів поблизу анодного контакту може бути застосований до коротких структур і надає змогу одержати максимальні частоти генерації.
Попередній перегляд:   Завантажити - 548.12 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Botsula O. V. 
Generation of THz Oscillations by Diodes with Resonant Tunneling Boundaries [Електронний ресурс] / O. V. Botsula, V. O. Zozulia // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 6. - С. 06037-1-06037-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_6_39
Діоди з резонансно-тунельною границею розглянуто як можливі джерела терагерцового діапазону. Діоди є планарними структурами з двома контактами, що містять провідний канал і активну бічну границю. Бічна границя являє собою двохбар'єрну резонансно-тунельну структуру на основі AlGaAs/GaAs, яка розміщуються між каналом і металевим електродом та електрично з'єднана з омічним контактом аноду. Принцип роботи діодів полягає у поєднанні ефекту міждолинного переносу в каналі та електронного транспорту через бічну границю, що призводить до збільшення частоти коливань та розширення частотного діапазону роботи. Аналіз проводився з використанням багаточастинкового методу Монте-Карло. Визначено ефективність коливань і частотні властивості діода. Показано існування співвідношення між максимальною ефективністю на конкретній частоті та величиною зміщення, що подається на діод. Встановлено, що максимальні значення ефективності генерації у разі роботи на низьких частотах відповідають великим напругам зміщення, тоді як на високих частотах низьким. Таким чином, існує можливість створення керованого напругою джерела коливань. Досліджено вплив положення резонансно-тунельної границі та величини легування на ефективність генерації діода. Положення активної границі ближче до катодного контакту призводить до зниження ефективності генерації та підвищення частоти. Показано можливість одержання генерації в діапазоні від 50 до 550 ГГц. Максимальна ефективність генерації склала 10 %, що відповідає частоті 110 ГГц.
Попередній перегляд:   Завантажити - 317.044 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Botsula O. V. 
Energy and Frequency Properties of Planar n+-n-n+ Diodes with Active Side Boundary [Електронний ресурс] / O. V. Botsula, V. O. Zozulia // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 6. - С. 06028-1-06028-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_6_30
Досліджено генерацію електромагнітних коливань у довгохвильовій частині терагерцового діапазону GaAs діодами. Діоди є планарними структурами довжиною 1,28 мкм, шириною 0,32 мкм та концентрацією донорної домішки <$E6~cdot~10 sup 22> м<^>-3. Вони мають провідний канал, якого розміщено на напівізолюючій підкладці, два контакти та активну бічну границю у вигляді області n-типу, яка розміщується між каналом і металевим електродом та електрично з'єднана з омічним контактом аноду. Електронні процеси в структурі аналізуються з використанням багаточастинкового методу Монте-Карло. Показано, що в таких діодах виникають нестійкості струму, які можна пов'язати з ефектом міждолинного переносу електронів. Проте залежності постійного струму від напруги не мають вираженої ділянки з від'ємною диференціальною провідністю, що пов'язано з існуванням областей з високою напруженістю електричного поля в анодній частині діода. Одночасне існування ефекту міждолинного переносу електронів в каналі та в області бічної границі призводить до збільшення частоти коливань та розширення частотного діапазону роботи. Визначено ефективність коливань та частотні властивості приладів та встановлено, що їх частотний діапазон роботи знаходиться в інтервалі від 100 до 300 ГГц, а максимальні значення ефективності генерації складають близько 3 % на частоті 150 - 180 ГГц. Досліджено вплив положення і розміру елементів бічної границі на частотні та енергетичні властивості приладів. Показано, що частотний діапазон діодів визначається в основному товщиною бічного активного елемента. Максимальну частоту генерації (до 300 ГГц) та ширину частотного діапазону одержано для діодів з товщиною бічного елемента 0,32 мкм, проте їх максимальна ефективність менше 1,4 %.
Попередній перегляд:   Завантажити - 478.071 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Botsula O. V. 
Planar n+-n-n+ Diode with Active Side Boundary on InP Substrate [Електронний ресурс] / O. V. Botsula, V. O. Zozulia, K. H. Prykhodko // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2023. - Vol. 15, no. 1. - С. 01011-1-01011-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2023_15_1_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 411.31 Kb    Зміст випуску     Цитування
6.

Prykhodko K. H. 
InPAs- Based Diode as Active Element in Terahertz Range [Електронний ресурс] / K. H. Prykhodko, O. V. Botsula // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2023. - Vol. 15, no. 6. - С. 06019-1-06019-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2023_15_6_21
Попередній перегляд:   Завантажити - 413.147 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського